阉割版的出光刻机，全部采用石英透镜。

石英有良好的光学能，化学能也很稳定，光科技运转的时候，能保证紫外光传输稳定。。 石英透镜技术，早在五十年代就出现了。

鉴于制造技术，石英透镜多为球形或圆柱形，加工简单，能保证加工度。 实践中。

也有把石英透镜制造成非球面形状。 用在一些度需求不高的地方。

光刻机度要求高。

只有球面和柱形石英透镜才能满足度要求。

石英透镜技术从五十年代出现， 一直用到七十年代，中间有多次改良，改良幅度都不大。 仍然是以球面和柱状为主。

石英透镜制造简单，缺点也“零六零”十分明显。 首先。

使用石英透镜，容易引起球差、慧差和像散等光学问题，这些问题会造成成像失真，影响光刻机能。 限制了芯片度。

同时。

因为石英透镜是球面状的，或者是柱状的，造成焦点度相对较浅。

焦点度和清晰成像范围成正比，焦点度越浅，细成像范围越小，限制了光刻机的能。 其次。

石英透镜工艺局限和设计局限，限制了它的最小加工度。 是用石英透镜，最小度都是微米级。

除非有革命的加工工艺进化，或者换一种材质的透镜。 否则。

加工度突不了微米。

第三就是加工度限制。

石英透镜表面是圆形的，或者是援助型的，看起来很圆滑。 实际从微观角度观察，很难做到标准的圆。

眼看不出来，因为眼的度有限，可一旦用在光刻机上，度到微米级别，影响就很大。 会导致成像不稳定，导致光学畸形。

出的阉割版光刻机，用的都是石英透镜，因为成像不稳定和光学畸形，废品率就会很高。 废品率高。

成本分摊到成品上。

造成芯片的成本普遍偏高。

第三是石英的光学折率相对较高。

折率高，就会产生折效应和衍效应，会造成成像模糊，在一定程度上影响度。 即使是这样。

对其他国家来说。

龙国出的光刻机已经是非常先进，度非常高，是他们短时间内难以企及的，不得不进。 要是有自我研发能力还好。

要是没有自我研发能力， 一直以来进，就会严重限制他们的工业发展，发展速度严重落后。 龙国自己用的第一代光刻机，用的也是石英透镜，但加工技术不一样。

用的是抛物面透镜技术。

通过非球面镜改善相差，相比球面镜，柱镜片，抛物面透镜有更高的度。

抛雾面透镜技术，相比球面透镜技术，复杂很多，加工难度高很多，加工成本也跟着上升。

导致抛物面透镜比球面透镜贵很多。 同时。

抛物面透镜也不完美。

非球面，光线在进透镜的时候，折角度会有所变化，会导致曝光区域的光强度分布不均。

导致图案畸形，或者不完全曝光。 这些都会影响光刻机的度。

比抛物镜技术更先进的技术是布拉格透镜技术，能制造出一种有周期变化折率的光学元件。

这种技术出现在八九十年代。 制造技术更复杂。

成本更高。

万兴邦没有采用布拉格透镜技术，而是采用了更先进的非球面透镜技术。

万兴邦穿越之前，在繁华年代，最先进的光刻机使用的透镜，用的技术就是非球面透镜技术。 相比传统透镜。

非球面透镜技术优点很多，全方位超越传统透镜。

第二代光刻机的技术，不仅在六十年代是领先的，就算再过五六十年，很多技术也不过时。 同时。

第二代光刻机采用了接触式近场光刻技术。

而第一代光刻机，包括出的阉割版，用的都是远场光刻技术。

远场光刻技术缺点非常明显。 首先受光的衍限制。

应用远场光刻技术的光刻机，度根本达不到纳米级别，造成传统光刻机无法应用在纳米领域。 也处理不了特征尺寸非常小或非常大的图案...

罪魁祸首就是光的衍!

在加工特征尺寸非常小的图案的时候，由于光的衍效应，造成分辨率有限，无法准确复制小尺寸结构。

加工特征尺寸非常大的图案的时候，又因为投影范围有限，无法覆盖足够大面积，也无法准确复制大尺寸结构。 其次是成本高。

传统光刻机因为技术限制，对原材料要求苛刻，符合加工条件的原材料价格一般都比较贵。 增加了加工成本。

刨除远场光刻技术的缺点。

第一代光刻机和出阉割本光刻机，还有第二个致命缺点，就是加工的周期比较长。 处理复杂图案的时候，需要多次对准，多次曝光。

就延长了加工周期。 增加了时间成本。

要是芯片需要多层结构或多个工艺，加工中心还会进一步延长，导致加工的时间成本更高。

第三个缺点是对使用环境的要求。

传统光刻机需要洁净的加工车间，以保证光刻胶和样品不受污染，就需要高规格的加工车间。 高洁净度车间的成本，也会经常在加工成本内。

进一步增加了芯片的成本。 同时。

第一代光刻机和出版的光刻机，维护也相对复杂，也变相增加了芯片成本。 总的来说。

0.0 第一代光刻机和出版光刻机，加工度低，加工成本高，作不方便，维护起来也很复杂。 注定了第一代和出版肯定会被淘汰。

但肯定不是现在。

第二代光刻机采用的近场光刻技术，把光刻胶和掩膜之间的距离，缩小到只有光波长的尺寸。 距离近。

更易实现高分辨率。

更容易提升加工的度。

尽管近场光刻技术度已经很高，万兴邦还是不太满意。 其一。

近场光刻技术复杂度高，作难度大。

需要高度探针，或者接触式探，对控制和作的度要求也很高。

高度探针制作难度大，成本高，对制造工艺和设备要求有些苛刻，这还只是其中一个缺点.

近场光刻技术的第二个缺点是速度! 这才是万幸帮最在意的。

近场光刻技术工作的时候，需要逐点或逐行转移，相比接触式光刻机技术，速度肯定慢很多。。 这是机制上的问题。

不是光改善其他技术就能追上的。

逐点或逐行转移的加工机制，对于需要通量高和大面积图案的，适用很低。 而这是未来的趋势。

未来的芯片越来越复杂，需要的通量越来越高，也会越来越大，普通近场光刻技术逐渐过时。 同时。

近场光刻技术由于自身短板，对加工芯片的尺寸和形状也有一定限制。

在加工一些特殊芯片的时候，速度更慢，效率更低，还会降低成功率，增加芯片的制造成本。

这些都是内因。 还有外因。